2022年闪存芯片行业细分应用领域市场需求规模前景预测及重点企业发展战略研究咨询

1、闪存芯片技术现状分析：代码型闪存芯片主要包括NOR Flash及SLCNAND Flash，发代码型闪存芯片产品的技术水平主要体现在工艺技术、产品容量、工作电压、读取速度、ECC（错误检查和纠正）及坏块管理能力等方面。

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（1）工艺技术：工艺技术作为底层技术，指芯片产品的工作机理以及晶圆制造的工艺流程，对于芯片产品的成本、性能、功耗及可靠性等各方面具有重要影响。

NOR Flash产品方面，公司采用业界主流的ETOX工艺技术，具有随机编程写入速度快、高温数据保持力强、器件性能均匀性好等优势。目前业界NOR Flash产品中ETOX工艺的主流制程为65nm/55nm，并逐渐向50nm/4xnm节点演进。随着工艺制程的演进，存储单元的尺寸会变小，同等容量产品的芯片面积会缩小，进而降低产品整体制造成本，但同时存储器可靠性会有一定程度的降低。

SLCNAND Flash产品方面，目前行业主流工艺制程为3xnm/2xnm。国内企业通过采购铠侠、美光等厂商的SLCNAND Flash存储晶圆工艺制程为2xnm，同时已掌握2xnm单芯片SPINAND存储晶圆的设计能力，未来国内企业将继续开发2xnm/1xnm单芯片SPINAND Flash产品，进一步提升公司产品技术水平。

（2）产品容量：随着下游市场的不断发展，不同使用场景对终端应用的功能提出了更多样化的需求，不同终端应用的代码存储容量需求差异较大。公司NOR  Flash产品容量覆盖1Mbit-1Gbit，SLCNAND Flash产品容量覆盖1Gbit-8Gbit，可以满足下游应用的多样化需求，为业界少数容量覆盖范围较全面的代码型闪存芯片厂商之一。

（3）工作电压：由于不同终端应用对于性能、功耗的要求不同，同时主控芯片的电压范围不同，导致不同终端应用的电压范围有所差异。针对不同市场，代码型闪存芯片主要有三种电压系列的产品，包括面向标准电源供电（如机顶盒设备）的3.3V产品、面向锂电池供电（如可穿戴设备、手机）的1.8V产品以及可灵活适用宽电压供电应用的1.65-3.6V产品。同时，国内企业还在研发超低功耗1.2V系列产品，进一步丰富代码型闪存芯片产品组合。

（4）读取速度：NOR Flash通常用于中小容量代码的存储和快速读取，读取速度直接影响系统的执行效率和响应速度，是最重要的参数之一。目前NOR Flash产品实现在单线/双线/四线读取频率达到133Mhz，同时支持更高读取速度的接口类型，后续规划的产品亦将进一步提升NOR Flash产品的读取性能。

（5）ECC（错误检查和纠正）及坏块管理能力：SLCNAND Flash通常用于较大容量代码以及产品运行过程中日志和配置信息的存储。相对NOR Flash而言，SLCNAND Flash存储单元尺寸更小，存储单元容易出现错误翻转及块（扇区）错误，可靠性较低，因此需要配置ECC及坏块管理功能才能满足使用过程中的可靠性要求。

中金企信国际咨询公布的《2022-2028年中国闪存芯片行业市场调查及投资战略预测报告》

2、闪存芯片行业内的主要企业：闪存芯片行业主要企业根据所处区域主要可分为三类企业，第一类是海外存储芯片巨头，第二类是中国台湾存储芯片IDM企业，第三类是中国大陆新兴的代码型闪存芯片设计企业。各类企业由于发展历史、市场定位等不同各有侧重。

总体而言，闪存技术首先于上个世纪80年代在日本诞生，并相继在美日韩产生了美国的美光、赛普拉斯、日本的东芝以及韩国的三星、海力士等存储芯片巨头。近年来，在中国台湾及大陆芯片公司的冲击下，基于自身战略定位及比较优势考虑，海外存储芯片巨头已逐步退出或减少代码型闪存芯片的产能，主要集中于大容量数据型闪存芯片产能的扩大。随着美日韩半导体产业向中国台湾转移，中国台湾存储芯片IDM企业承接了绝大部分海外存储芯片巨头转移的代码型闪存芯片市场，以华邦、旺宏为主要代表企业，占据了代码型闪存芯片行业主要的市场份额。随着中国大陆经济的发展，中国大陆产生了一批新兴的代码型闪存芯片设计企业，包括兆易创新、发行人、东芯股份、普冉股份、恒烁股份等。

（1）海外存储芯片巨头：

①赛普拉斯（Cypress）：赛普拉斯于1982年在美国成立，是一家全球电子芯片解决方案提供商。2014年12月，赛普拉斯收购当时全球NOR

Flash存储芯片领先企业飞索半导体（Spansion），为MCU、RAM、NOR Flash等产品的全球领导厂商。2020年4月，赛普拉斯被德国半导体企业英飞凌（Infineon）收购。

②美光（Micron）：美光于1978年在美国成立，在美国纳斯达克证券交易所上市（股票代码：MU.O），是一家全球半导体存储器解决方案供应商，主要产品包括DRAM、SRAM、Flash等存储器，2021财年实现营业收入277.05亿美元。

③铠侠（Kioxia）：铠侠的前身为NAND Flash创始者东芝公司旗下的东芝存储器株式会社（Toshiba  Memory Corporation），2018年被贝恩资本等财团收购后更名为铠侠株式会社。铠侠是一家全球半导体存储器解决方案供应商，主要产品为NAND Flash，2020财年实现营业收入1.18万亿日元。

④三星（Samsung）：三星电子有限公司于1969年在韩国成立，在韩国证券交易所上市（股票代码为005930.KS），主要从事消费电子产品、半导体产品、显示产品的制造和销售，在DRAM、NAND Flash领域处于全球领先地位，2021年实现营业收入279.60万亿韩元。

⑤海力士（SKhynix）：海力士于1983年在韩国成立，在韩国证券交易所上市（股票代码为000660.KS），主要从事半导体存储器的制造和销售，主要产品包括DRAM、NAND Flash等半导体存储器，2021年实现营业收入43.00万亿韩元。

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（2）中国台湾存储芯片IDM企业：

①华邦（Winbond）：华邦于1987年在台湾成立，于1995年在台湾证券交易所挂牌上市（股票代码为2344.TW），是一家专业从事存储芯片设计、制造和销售的集成电路企业，主要产品包括DRAM、NOR Flash及SLCNAND Flash等，2021年实现营业收入995.70亿新台币。

②旺宏（Macronix）：旺宏于1989年在台湾成立，于1995年在台湾证券交易所挂牌上市（股票代码为2337.TW），是一家非易失性存储器解决方案提供商，主要产品包括ROM、NOFlash和SLCNANFlash，2021年实现营业收入505.73亿新台币。

（3）中国大陆代码型闪存芯片设计企业：

①兆易创新：兆易创新成立于2005年，于2016年在上海证券交易所主板上市（股票代码603986.SH），主营业务为存储器、微控制器和传感器的研发、技术支持和销售，主要产品包括NOR Flash、SLCNAND Flash、MCU等产品，2020年实现营业收入44.97亿元。

②东芯股份：东芯股份成立于2014年，于2021年在上海证券交易所科创板上市（股票代码688110.SH），主营业务为中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，主要产品包括SLCNAND Flash、NOR Flash、MCP等产品，2020年实现营业收入7.84亿元。

③普冉股份：普冉股份成立于2016年，于2021年在上海证券交易所科创板上市（股票代码688766.SH），主营业务为非易失性存储器芯片的设计与销售，主要产品包括NOR Flash和EEPROM，2021年实现营业收入11.03亿元。

④恒烁股份：恒烁股份成立于2015年，主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售，主要产品包括NOR Flash和MCU，2021年实现营业收入5.76亿元。